[发明专利]射频功率放大器有效
| 申请号： | 200610084725.9 | 申请日： | 2006-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1866729A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 榎本真悟;稻森正彦;小泉治彦;立冈一树;牧原弘和;松田慎吾;川岛克彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
1、一种可用于对射频信号进行功率放大的射频功率放大器，该射频功率放大器包括：并联连接的多个晶体管，各自具有接地的发射极；多个电阻器，共同向每个电阻器中的一端提供直流偏置电压，而将每个电阻器中的另一端连接到所述多个晶体管当中的相应晶体管的基极；多个电容器，每个电容器中有一个电极用于共同接收所述射频信号，而将每个电容器中的另一个电极连接到所述多个晶体管当中的相应晶体管的所述基极；以及至少一个桥接电阻器，用于将所述多个电阻器中的每一个的所述一端和所述多个电容器中的每一个的所述一个电极连接起来。
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