[发明专利]有机电致发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610084704.7 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1866537A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 金昌男;李镐年;郑镇元;姜善吉;金渡烈;金洪奎 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制造方法，其适于增强器件可靠性，同时允许简化制造工艺。该有机电致发光(EL)器件包括：基片；TFT，其位于基片上的各个单位像素区域中；第一绝缘层，其绝缘TFT；第一电极，其分别在第一绝缘层上形成，同时接触TFT；隔离壁，其位于第一绝缘层上的各个单位像素区域之间；辅助电极，其在隔离壁上形成；有机发光层，其位于第一电极上；绝缘部分，其使每个第一电极与相关的辅助电极绝缘；和第二电极，其位于有机发光层上，且和辅助电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 电致发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机电致发光(EL)器件，其包括：基片；TFT，其位于基片上的各个单位像素区域中；第一绝缘层，其用于绝缘TFT；第一电极，其分别在第一绝缘层上形成，同时接触TFT；隔离壁，其位于第一绝缘层上的单位像素区域之间；辅助电极，其在隔离壁上形成；有机发光层，其位于第一电极上；绝缘部分，其使每个第一电极与相关的辅助电极绝缘；和第二电极，其位于有机发光层上，且和辅助电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
