[发明专利]磁性存储单元的结构、存取方法以及磁性存储器电路有效
| 申请号： | 200610084560.5 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101079314A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 洪建中;陈永祥;高明哲;李元仁;王泳弘 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁性存储单元结构，适用于双态模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部分，其中该磁性固定迭层包括一上固定层与一下固定层。又，该上固定层与该下固定层之间有足够大的一磁性耦合力，使该上固定层的一磁化向量(magnetization)被固定维持在一参考方向。一隧道势垒层位于该磁性固定迭层之上。一磁性自由迭层，位于该隧道势垒层之上。其中该磁性自由迭层包括一下自由层有一下磁化向量，以及一上自由层有一上磁化向量。当在不施加一操作磁场下，该下磁化向量与该上磁化向量为相互反平行，但是垂直于该上固定层的该参考方向。又在上自由层上可以设置一磁性偏压层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 单元 结构 存取 方法 以及 存储器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储单元结构，包括：一磁性固定迭层，包括一上固定层与一下固定层，且上述上固定层与上述下固定层之间有足够大的一磁性耦合力，使上述上固定层的一磁化向量被固定维持在一参考方向；一隧道势垒层，位于上述磁性固定迭层之上；以及一磁性自由迭层，位于上述隧道势垒层之上，其中上述磁性自由迭层包括一下自由层有一下磁化向量，以及一上自由层有一上磁化向量，其中在不施加一操作磁场下，上述下磁化向量与上述上磁化向量为相互反平行，但是垂直于上述上固定层的上述参考方向。
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