[发明专利]异质结半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610084553.5 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1870292A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 上村正哉 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/201;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种改善导热性的具有变质缓冲层的异质结半导体器件及其制造方法。在半绝缘性衬底(1)上利用外延生长法形成变质缓冲层(2)，在其上依次叠层集电极层(3)、基极层(4)、发射极层(5)和发射极盖层(6)，并把集电极电极(7)与变质缓冲层(2)的上部层(2c)相接地设置。利用结晶生长过程中的掺杂法向变质缓冲层(2)导入与现有的副集电极层同等或大于或等于它的杂质，使变质缓冲层(2)能起到把集电极电流向集电极电极(7)引导的作用。由于省略了多由热电阻大的三元混合晶等形成的副集电极层，所以能够把在半导体器件内产生的热迅速地向衬底(1)散热。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种异质结半导体器件，其在基体上形成变质缓冲层并在其上形成活性层，其特征在于，在构成所述变质缓冲层的层之中，至少向与所述活性层相接的半导体层导入高浓度的杂质，并与该高浓度杂质含有层相接而设置电极。
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