[发明专利]图案形成方法、装置及半导体器件、电路、显示体模件和发光元件有效
申请号: | 200610084424.6 | 申请日: | 2001-12-21 |
公开(公告)号: | CN1873913A | 公开(公告)日: | 2006-12-06 |
发明(设计)人: | 森义明;宫川拓也;高木宪一;足助慎太郎;佐藤充 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 图案材料供给部(300),具备有使液态图案材料(312)成为雾状微粒子进行喷雾的莲喷头(310)。在莲喷头(310)的下方,设有配置工件(20)的处理台(318)。在工件(20)的表面具有设有图案形成用开口进行了疏水处理的掩膜。工件(20),通过处理台(318)由直流电源(328)外加电压,利用静电引力吸引液态图案材料(312)的微粒子。处理台(318),通过旋转,使附着在掩膜表面的液态图案材料填充到设在掩膜上的图案形成用开口部,同时能由内置的加热器(326)加热固化液态图案材料。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 装置 半导体器件 电路 显示 模件 发光 元件 | ||
【主权项】:
1.一种图案形成装置,其特征在于,具有:在被涂敷在工件表面并固化了的掩膜材料上,设置用于形成图案的开口部来形成掩膜的掩膜形成部;在上述已经固化了的掩膜材料或上述掩膜中形成由聚合膜构成的疏水膜的疏水处理部;向上述掩膜的用于形成图案的开口部供给液态图案材料的图案材料供给部;以及固化上述用于形成图案的开口部内的上述液态图案材料的固化部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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