[发明专利]半导体电路,显示器及其电子应用设备有效

专利信息
申请号: 200610084405.3 申请日: 2006-05-19
公开(公告)号: CN1866403A 公开(公告)日: 2006-11-22
发明(设计)人: 纳光明 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G11C19/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王庆海;梁永
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的一个目的是提供一种需要更少数量的晶体管的半导体电路,该晶体管包括在所述半导体电路中并且精确地用作无需电平移动器的移位寄存器。该半导体电路具有m(m是任意正整数,m≥3)级的电路组和反相器电路。所述电路组包括具有连接到高电势电源的第一端子的p沟道晶体管,和具有连接到低电势电源的第一端子的n沟道晶体管。时钟信号被输入到在第(2n-1)(n是任意整数,m≥2n≥2)级中的n沟道晶体管的栅极。反相时钟信号被输入到在第2n(n是任意整数,m≥2n≥2)级中的n沟道晶体管的栅极。
搜索关键词: 半导体 电路 显示器 及其 电子 应用 设备
【主权项】:
1.一种半导体电路,包括:m(m是任意正整数,m≥3)级的电路组和反相器电路,其中该电路组包括:具有连接到第一电势电源的第一端子的p沟道晶体管;具有连接到p沟道晶体管的栅极的栅极和连接到p沟道晶体管的第二端子的第一端子的第一n沟道晶体管;和具有连接到第一n沟道晶体管的第二端子的第一端子和连接到第二电势电源的第二端子的第二n沟道晶体管,其中反相器电路的输入端连接p沟道晶体管的第二端子和第一n沟道晶体管的第一端子,其中时钟信号被输入到在第(2n-1)(n是任意整数,m≥2n≥2)级中的第二n沟道晶体管的栅极,和其中反相时钟信号被输入到在第2n级中的第二n沟道晶体管的栅极。
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