[发明专利]半导体电路,显示器及其电子应用设备有效
申请号: | 200610084405.3 | 申请日: | 2006-05-19 |
公开(公告)号: | CN1866403A | 公开(公告)日: | 2006-11-22 |
发明(设计)人: | 纳光明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G11C19/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王庆海;梁永 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个目的是提供一种需要更少数量的晶体管的半导体电路,该晶体管包括在所述半导体电路中并且精确地用作无需电平移动器的移位寄存器。该半导体电路具有m(m是任意正整数,m≥3)级的电路组和反相器电路。所述电路组包括具有连接到高电势电源的第一端子的p沟道晶体管,和具有连接到低电势电源的第一端子的n沟道晶体管。时钟信号被输入到在第(2n-1)(n是任意整数,m≥2n≥2)级中的n沟道晶体管的栅极。反相时钟信号被输入到在第2n(n是任意整数,m≥2n≥2)级中的n沟道晶体管的栅极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 电路 显示器 及其 电子 应用 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体电路,包括:m(m是任意正整数,m≥3)级的电路组和反相器电路,其中该电路组包括:具有连接到第一电势电源的第一端子的p沟道晶体管;具有连接到p沟道晶体管的栅极的栅极和连接到p沟道晶体管的第二端子的第一端子的第一n沟道晶体管;和具有连接到第一n沟道晶体管的第二端子的第一端子和连接到第二电势电源的第二端子的第二n沟道晶体管,其中反相器电路的输入端连接p沟道晶体管的第二端子和第一n沟道晶体管的第一端子,其中时钟信号被输入到在第(2n-1)(n是任意整数,m≥2n≥2)级中的第二n沟道晶体管的栅极,和其中反相时钟信号被输入到在第2n级中的第二n沟道晶体管的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610084405.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动设备探测系统及方法
- 下一篇:DVD拷贝保护