[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610084290.8 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1877858A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 金明寿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有沟槽隔离区的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该晶体管包括设置在半导体衬底的预定部分中以限定有源区的沟槽隔离区。源区和漏区在有源区中彼此分隔开，沟道区设置在所述源区和漏区之间。栅电极横跨源区和漏区之间的沟道区，且栅极绝缘层设置在所述栅电极与沟道区之间。比栅极绝缘层厚的边缘绝缘层围绕沟槽隔离区和有源区边界设置在栅电极的下表面上。本发明防止边界部分上的氧化物层的凹陷和减薄。因此，防止了由于集中在边界部分上的电场而产生的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有沟槽隔离区的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；沟槽隔离区，设置在所述半导体衬底的预定部分以定义有源区；源区和漏区，在所述有源区内彼此分离，在所述源区和所述漏区之间设置有沟道区；栅电极，在设置于所述源区和漏区之间的沟道区上跨过；栅极绝缘层，设置在所述栅电极和沟道区之间；和边缘绝缘层，比所述栅极绝缘层厚，并围绕所述沟槽隔离区和有源区边界设置在栅电极的下表面。
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