[发明专利]制造NAND快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200610083683.7 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1964021A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 玄灿顺 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造NAND快闪存储器件的方法，包括下列步骤：提供其中限定有单元区域和选择晶体管区域的半导体衬底；在所述单元区域的半导体衬底上形成多个单元栅，同时在所述选择晶体管区域的半导体衬底上形成选择栅；在整个结构上形成氧化物膜，然后形成氮化物膜；蚀刻所述氮化物膜，使得所述氮化物膜只剩留在所述选择栅和相邻的边缘单元栅之间；以及毯式蚀刻所述氧化物膜以在所述选择栅的侧壁上形成间隔物。因而，可确保均匀的阈值电压分布，并当蚀刻所述间隔物时可确保用于间隔物蚀刻目标的工艺裕度。此外，即使在所述栅间隔物被蚀刻之后，所述氮化物膜仍部分地剩留在所述边缘单元栅与所述选择栅之间。因此有可能禁止湿气或氢离子的渗入，该渗入可能在随后的工艺中发生。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 nand 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造NAND快闪存储器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供其中限定有单元区域和选择晶体管区域的半导体衬底；在所述单元区域的半导体衬底上形成多个单元栅，同时在所述选择晶体管区域的半导体衬底上形成选择栅；在整个结构上形成氧化物膜，然后形成氮化物膜；蚀刻所述氮化物膜，使得所述氮化物膜只剩留在所述选择栅与相邻的边缘单元栅之间；以及毯式蚀刻所述氧化物膜以在所述选择栅的侧壁上形成间隔物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
