[发明专利]氮化物基发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610081818.6 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1996626A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 朴性秀 | 申请（专利权）人： | 三星康宁株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种高功率和长寿命的氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件包括：形成于单晶晶片上的n覆层；通过在HCl和NH3的混合气体气氛下从顶表面处理该n覆层至预定深度而形成的多孔层；以及依次形成于所述多孔层上的有源层和p覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物基发光器件，包括：形成于单晶晶片上的n覆层；多孔层，该多孔层通过在HCl和NH3的混合气体气氛下从所述n覆层的顶表面处理其直到预定深度而形成；以及依次形成于所述多孔层上的有源层和p覆层。
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