[发明专利]具有改进的反铁磁耦合记录层的垂直磁记录介质有效

专利信息
申请号: 200610080374.4 申请日: 2006-05-16
公开(公告)号: CN1870144A 公开(公告)日: 2006-11-29
发明(设计)人: 埃里克·E·富勒顿;拜伦·H·伦格斯菲尔德第三;戴维·马古利斯 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/673
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及垂直磁记录盘,其具有包括下和上铁磁层的反铁磁耦合(AFC)记录层(RL),上和下铁磁层每个具有六角密堆积(hcp)晶体结构和垂直磁各向异性,被反铁磁(AF)耦合层分隔开,其中下铁磁层(LFM)比上铁磁层(UFM)具有显著更高的磁导率。AFC RL位于实际交换中断层(EBL)上,实际交换中断层将AFC RL与盘的软磁衬层(SUL)分隔开。LFM充当部分“有效”交换中断层(EBL),该“有效”交换中断层还包括实际EBL和AF耦合层,从而允许实际EBL制得尽可能薄。hcp LFM以与实际EBL相同的方式促进hcp UFM的生长,使得其厚度对生长hcp UFM所需的厚度有贡献。有效EBL在写过程期间呈现为磁性上“薄”且在读回过程期间呈现为磁性上“厚”。
搜索关键词: 具有 改进 反铁磁 耦合 记录 垂直 介质
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,包括:衬底;导磁材料衬层,其在所述衬底上;反铁磁耦合(AFC)层,其包括通过非磁反铁磁耦合层分隔开的第一和第二铁磁层,该第二铁磁层包括颗粒钴合金,所述颗粒钴合金具有c轴取向为基本垂直于所述层的六角密堆积晶体结构,该第一铁磁层具有c轴取向为基本垂直于所述层的六角密堆积晶体结构以及比所述第二铁磁层的磁导率更高的磁导率;以及交换中断层,其在所述衬层与所述第一铁磁层之间用于磁去耦所述衬层与所述第一铁磁层且用于诱导所述第一铁磁层的所述基本垂直的c轴取向。
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