[发明专利]断线修复方法、用其制造有源矩阵基片的方法和显示装置无效
| 申请号： | 200610080331.6 | 申请日： | 2006-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1862320A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 大石三真 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/136;H05B33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在制造用于液晶显示装置和有机电致发光显示装置的有源矩阵基片时，通过激光CVD方法修复布线断线的部分。通过激光CVD方法，在布线断线的部分中选择性地形成导电膜。在这之后，至少在导电膜的周围区域上照射激光，并因而残留在导电膜周围区域中的导电微粒被从那里去除。结果，能够防止泄漏电流和寄生电容在断线已被修复的部分和另一个布线之间发生。 | ||
| 搜索关键词： | 断线 修复 方法 制造 有源 矩阵 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种修复布线断线的方法，所述布线形成在具有所述布线的基片中的第一绝缘膜上，所述方法包括：借助于激光CVD方法，在所述布线中断线缺陷部分两侧处各自断线部分的末端要被相互连接的区域中，选择性地形成导电膜；以及至少去除导电微粒，所述导电微粒是在形成所述导电膜的同时，在包围所述导电膜的区域中先前产生的。
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