[发明专利]具有沟槽结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610080323.1 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1866508A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 戈登·M.·格里瓦纳;彼得·J.·泽德贝尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沟槽结构的半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一对侧壁钝化沟槽接触结构形成在衬底上，从而提供与次表面部件的电接触。掺杂区在这对侧壁钝化沟槽之间扩散，以便提供低电阻接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：具有主表面和待接触部件的衬底；在衬底中形成并从主表面延伸的第一沟槽，所述第一沟槽具有在第一沟槽的暴露表面上形成的第一阻挡层、和在第一阻挡层之上形成的第一导电材料，其中第一导电材料通过第一阻挡层中的开口接触所述待接触部件；以及在衬底中形成并从主表面延伸的第二沟槽，所述第二沟槽具有在第二沟槽的暴露表面上形成的第二阻挡层、和在第二阻挡层之上形成的第二导电材料，其中第二导电材料通过第二阻挡层中的开口接触所述衬底。
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