[发明专利]化合物半导体单晶及其生长用容器和制造方法无效
| 申请号： | 200610080292.X | 申请日： | 2006-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1873060A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 和地三千则;矢吹伸司 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了在垂直晶体生长法中，可以更简便地制造、不需要复杂的设备就可以控制固液界面形状的PBN制化合物半导体单晶生长用容器，以及使用该容器制造化合物半导体单晶的方法。采用该容器，可以提高形成AllSingle的概率，并大幅度提高位错等晶体缺陷少、品质优良的化合物半导体单晶的收率。本发明的热解氮化硼(PBN)制成的化合物半导体单晶生长用容器(1)，其特征在于：具有晶种收容部(1a)、增径部(截面积增大部)(1b)和晶体生长部(1c)，在与其构成材料PBN板的厚度方向垂直的面上测定的(002)面和(100)面的X射线衍射累积强度比(I (002)/I (100))的值，在所述容器全体上为50或50以上。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 生长 容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.化合物半导体单晶生长用容器，由热解氮化硼(PBN)制成，具有：收容晶种的晶种收容部、收容原料熔液的晶体生长部、以及位于所述晶种收容部和所述晶体生长部的中间且向着所述晶体生长部方向直径增大的增径部或向着所述晶体生长部方向截面积增大的截面积增大部，其特征在于，所述的容器是用于采用垂直晶体生长法生长化合物半导体单晶的容器，在与构成所述容器的所述PBN板的厚度方向垂直的面上测定的(002)面和(100)面的X射线衍射累积强度比(I(002)/I(100))的值，在所述容器的整体上为50或50以上。
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