[发明专利]半导体存储器件及其制造方法和信息改写方法

摘要

提供一种半导体存储器件及其制造方法和信息改写方法，可以增大向ONO膜进行写入前和进行写入后的读出电流的差。该半导体存储器件包括第1扩散区、栅绝缘膜、栅电极、第1多层膜和第3扩散区。第1扩散区在半导体衬底中形成。栅绝缘膜在从第1扩散区分离的位置处，在半导体衬底上形成。栅电极在栅绝缘膜上形成。第1多层膜在第1扩散区和栅绝缘膜之间，在半导体衬底上形成。第3扩散区在半导体衬底中在第1多层膜的附近形成。第3扩散区的杂质浓度比第1扩散区低。在第1多层膜中，正电荷(空穴)作为主体被蓄积后，负电荷(电子)作为主体被蓄积而进行写入。负电荷与正电荷极性相反。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：在半导体衬底中形成的第1扩散区；在从上述第1扩散区分离的位置处，在上述半导体衬底上形成的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成的栅电极；在上述第1扩散区和上述栅绝缘膜之间，在上述半导体衬底上形成的第1多层膜；以及在上述半导体衬底中在上述第1多层膜的附近形成的、杂质浓度比上述第1扩散区低的第3扩散区，且在上述第1多层膜中，第1电荷作为主体被蓄积后，与第1电荷极性相反的第2电荷作为主体被蓄积而进行写入。