[发明专利]发光装置、用于制造该发光装置的方法及氮化物半导体衬底有效
| 申请号： | 200610077311.3 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1855564A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 永井阳一;片山浩二;北林弘之 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光装置，包括：GaN衬底1；布置在GaN衬底1的第一主表面侧面上的n－型氮化物半导体衬底层(n－型AlxGa1－xN层3)；与n－型氮化物半导体衬底层相比更远离GaN衬底1布置的p－型氮化物衬底层(p－型AlxGa1－xN层5)；以及位于n－型氮化物半导体层和p－型氮化物半导体层之间的发光层(多量子阱(MQW)4)。p－型氮化物半导体层侧面被向下安装。此外，光从第二主表面1a发出，该第二主表面1a是与GaN衬底1的第一主表面相对的主表面。在GaN衬底的第二主表面上形成沟槽80。沟槽80的内周边表面包括其上执行表面处理以使该内周边表面光滑的部分(曲面部分)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 用于 制造 方法 氮化物 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，包括：氮化物半导体衬底；位于所述氮化物半导体衬底的第一主表面侧上的n-型氮化物半导体层；与所述n-型氮化物半导体层相比更远离所述氮化物半导体衬底设置的p-型氮化物半导体层；以及位于所述n-型氮化物半导体层和所述p-型氮化物半导体层之间的发光层；所述发光装置，其中：所述p-型氮化物半导体层侧被向下安装并且光从第二主表面发出，所述第二主表面是与所述氮化物半导体衬底的所述第一主表面相对的主表面；在所述氮化物半导体衬底的所述第二主表面上形成沟槽；以及对所述沟槽的内周表面进行表面处理，以便使所述内周表面光滑。
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