[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610077175.8 | 申请日： | 2006-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1855551A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 须藤仁介 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 构造半导体器件100，使其具有：半导体衬底102，其具有在其表面部分中形成的第一电导率型半导体区域104(第一电导率型区域)；肖特基势垒二极管的阳极146(金属电极)，其形成在第一电导率型半导体区域104上；第二电导率型保护环114，其形成在第一电导率型半导体区域104表面部分中沿着阳极146周边；隔离绝缘薄膜108，其形成在沿着第一电导率型半导体区域104表面部分中的保护环114周边并且与其隔开，以将阳极146与其它区域隔离；以及阳极形成掩模110a，其覆盖落在阳极146和隔离绝缘薄膜108之间的部分中的半导体衬底表面并且与阳极146的端部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其包含：半导体衬底，其具有在其表面部分形成第一电导率型区域；金属电极，其形成在所述第一电导率型区域上的肖特基势垒二极管；第二电导率型区域，其形成在所述第一电导率型区域的表面部分中沿着所述金属电极的周边；隔离绝缘薄膜，其形成在所述第一电导率型区域的表面部分中沿着所述第二电导率型区域的周边并且与其隔开，以将所述金属电极与其它区域隔开；和绝缘薄膜，其覆盖落在所述金属电极和所述隔离绝缘薄膜之间部分中的所述半导体衬底表面并且与所述金属电极的端部接触。
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