[发明专利]氮化物基半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610075305.4 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1848471A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 幡俊雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本氮化物基半导体发光装置包括：形成在导电衬底(1)上的图案表面(20a)；形成在图案表面(20a)上的多层金属层(49)；和形成在多层金属层(49)上的多层半导体层(19)，且其特征在于多层金属层(49)和多层半导体层(19)的主表面(49m，49n，19m，19n)具有小于图案表面(20a)的面积，和多层半导体层(19)包括p型氮化物基半导体层(14)、发光层(13)和n型氮化物基半导体层(19)。因此，提供了在氮化物基半导体层与导电衬底之间具有优异粘附性的高可靠氮化物基半导体发光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物基半导体发光装置，包括：形成在导电衬底上的图案表面；形成在所述图案表面上的多层金属层；和形成在所述多层金属层上的多层半导体层，其中所述多层金属层的主表面和所述多层半导体层的主表面具有小于所述图案表面的面积，以及所述多层半导体层包括p型氮化物基半导体层、发光层和n型氮化物基半导体层。
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