[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200610075295.4 | 申请日： | 2001-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1841769A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 末代知子;服部秀隆;中川明夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为折衷关断特性和导通特性，在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层(10)。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接，集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备：具有第1和第2表面区域的第1导电型第1基极层；厚度被设置为1μm或更小且在第1表面区域中设置的第2导电型集电极层；第1基极层和集电极层之间的第1导电型缓冲层；第2表面区域中的第2导电型第2基极层；第2基极层中的第1导电型发射极层；发射极层和第1基极层之间的第2基极层一侧上的栅绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。
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