[发明专利]多层半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610074174.8 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1877810A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 林炫锡;朴知淳;姜东祚;金廷昱;朴仁善;李怰锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种多层半导体器件及其制造方法，包括第一有源半导体结构，第一有源半导体结构上的第一绝缘层，第一绝缘层上和第一有源半导体结构上的第二有源半导体结构，第二有源半导体结构上的第二绝缘层，以及包括第一欧姆接触和第二欧姆接触的接触结构，第一欧姆接触在第一有源半导体结构的上表面上具有一垂直厚度，第二欧姆接触在第二有源半导体结构的侧壁上具有一横向厚度，该垂直厚度大于横向厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在第一半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二半导体层；在第二半导体层上形成第二绝缘层；形成贯穿第一和第二绝缘层的接触孔，该接触孔露出第一半导体层的上表面和第二半导体层的侧壁；在接触孔中非保形地淀积第一初步欧姆接触层；以及在接触孔中保形地淀积第二初步欧姆接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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