[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200610074096.1 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1848298A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 椋木敏夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了在使用可变门限类型的非易失性存储单元作为基准电流/电压产生元件的半导体存储器件中、在短时间内设定基准单元的门限，在存储数据的存储单元区中提供一个在不执行写入/擦除操作的检验过程期间保持其初始状态的存储单元，并且，在检验过程期间，在根据保持初始状态的存储单元执行基准单元的验证的同时，执行该基准单元的Vt设定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储单元，每个存储单元具有聚集静电电荷的位置，并且所述存储单元根据该聚集静电电荷的位置的电荷量存储数据；其中，将一个如所述存储单元那样根据聚集静电电荷的位置的电荷量存储数据的存储单元用作第一基准单元，当从每个所述存储单元读出数据时，所述第一基准单元产生作为判断基准的电压或电流；提供第二基准单元，当从所述第一基准单元读出数据时，所述第二基准单元产生作为判断基准的电压或电流；以及根据由所述第二基准单元产生的电压或电流，改变所述第一基准单元的门限。
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