[发明专利]低电阻聚合母体熔断器装置和方法无效
| 申请号： | 200610073964.4 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1848351A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | J·L·本德;H·P·卡马特;瓦林达·K·卡尔拉;D·M·曼奥基安;P·Y·索 | 申请（专利权）人： | 库帕技术公司 |
| 主分类号： | H01H85/08 | 分类号： | H01H85/08;H01H85/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种低电阻熔断器装置和制造方法，包括第一中间绝缘层、第二中间绝缘层和由第一和第二中间绝缘层的每一个单独形成和制成的独立式熔断元件。熔断元件层包括第一和第二接触垫以及在其间延伸的熔线。第一和第二中间绝缘层延伸到独立式熔断元件层的相反侧，并和其间的熔断元件层层叠在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 聚合 母体 熔断器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低电阻熔断器，包括：第一中间绝缘层；第二中间绝缘层；和独立式熔断元件层，由所述第一和第二中间绝缘层的每一种独立地形成和构成，所述熔断元件层包括第一和第二接触垫以及在其之间延伸的熔线；其中第一和第二中间绝缘层在所述独立式熔断元件层的相反侧延伸，并和其之间的所述熔断元件层层叠在一起。
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