[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610073954.0 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1838395A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 下川一生;牛岛彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供减少在半导体元件和基板的接合部发生的气泡的半导体器件的制造方法。该方法包括：把具有小片装配接合电极(13)的LED芯片(10)安装在陶瓷基板(20)上的安装工序，所述安装工序包括：对所述陶瓷基板之上供给具有Au－Sn共晶焊料粒子(41)的焊料糊剂(40)的工序；在所述焊料糊剂之上，装配在所述小片装配接合电极之上形成有Sn膜(14)的所述LED芯片的工序；以及使所述Au－Sn共晶焊料粒子及所述Sn膜熔融、接合所述陶瓷基板和LED芯片的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其包括把具有接合电极的半导体元件安装在基板上的安装工序，其特征在于，所述安装工序包括：对所述基板之上供给具有Au-Sn类焊料粒子的焊料糊剂的工序；在所述焊料糊剂之上，装配在所述接合电极之上形成有包含Sn或Sn合金的膜的半导体元件的工序；和使所述Au-Sn类焊料粒子以及所述包含Sn或Sn合金的膜熔融、接合所述基板和半导体元件的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
