[发明专利]具有稳定静电放电保护能力的半导体器件

摘要

本发明公开了一种具有稳定的ESD保护能力的半导体器件，所述器件引入晶体管和保护性二极管以形成功率控制IC。所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在半导体衬底中的第二导电类型的阱区；形成在阱区中的晶体管；形成在阱区周边之内的半导体衬底的表面上并且在空间上与阱区的边界分开的第二导电类型的保护环区，保护环区具有比阱区更高的杂质浓度；形成在与阱区和半导体衬底接触的阱区的周边的第一导电类型的衬底拾取区，衬底拾取区具有比半导体衬底更高的杂质浓度；以及，形成在保护环区与衬底拾取区之间的半导体衬底表面上的厚氧化物膜。保护性二极管形成，其包括阱区、保护环区和衬底拾取区。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的阱区；形成在所述阱区中的晶体管；形成在所述阱区周边之内的所述半导体衬底的表面上并且在空间上与所述阱区的边界分开的所述第二导电类型的保护环区，所述保护环区具有比所述阱区更高的杂质浓度；形成在与所述阱区和所述半导体衬底接触的所述阱区的周边的所述第一导电类型的衬底拾取区，所述衬底拾取区具有比所述半导体衬底更高的杂质浓度；形成在所述保护环区与所述衬底拾取区之间的所述半导体衬底的表面上的厚氧化物膜；以及由所述阱区、所述保护环区和所述衬底拾取区形成的保护性二极管。