[发明专利]薄膜熔丝相变随机存取存储器及其制造方法

摘要

一种存储器装置，包含一个有一顶端面之第一电极、一个有一顶端面之第二电极，以及一介于第一电极和第二电极之间的绝缘构件，该绝缘构件在第一电极和第二电极之间的顶端表面附近有一厚度。一存储器材料之电桥越过该绝缘构件，在第一电极和第二电极之间穿过绝缘构件形成一路径。提供一这样的存储单元阵列，在此阵列中，多个电极元件和其间的绝缘构件在集成电路上构成一电极层。此存储器材料电桥有次微影尺寸。

主权项

1.一种存储器元件，包含：一第一电极有着一顶端表面；一第二电极有着一顶端表面；一绝缘构件，介于该第一电极和该第二电极之间，该绝缘构件在该第一电极和该第二电极之间的顶端表面附近有一厚度；以及一电桥，该电桥越过该绝缘构件，该电桥有一第一面和一第二面，并以该第一面与该第一电极和该第二电极的该顶端表面接触，并且界定了该第一电极和该第二电极间跨越该绝缘构件的路径，此电极间路径之长度由绝缘构件的宽度来界定，其中该电桥包含了有至少两种固相的存储器材料。