[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。根据本发明的半导体器件1包括：半导体衬底5、第一晶体管10和第二晶体管12，第一晶体管10形成在半导体衬底5上并包括第一栅电极部分16，所述第一栅电极部分16由层叠的第一栅绝缘膜24和具有第一栅极长度L1的第一栅电极26构成，第二晶体管12形成在半导体衬底5上并包括第二栅电极部分20，所述第二栅电极部分20由第二栅绝缘膜32和具有小于第一栅极长度L1的第二栅极长度L2的第二栅电极30构成，第二栅绝缘膜32与第二栅电极30层叠，其中形成第一栅电极26的各多晶硅晶粒的晶粒尺寸大于形成第二栅电极30的各多晶硅晶粒的晶粒尺寸。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极部分，所述第一栅电极部分包含第一栅绝缘膜和具有第一栅极长度的第一栅电极，第一栅绝缘膜和第一栅电极层叠；以及形成在所述半导体衬底上的第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极部分，所述第二栅电极部分包含第二栅绝缘膜和具有小于所述第一栅极长度的第二栅极长度的第二栅电极，第二栅绝缘膜和第二栅电极层叠；其中形成所述第一栅电极的各多晶硅晶粒的晶粒尺寸大于形成所述第二栅电极的各多晶硅晶粒的晶粒尺寸。