[发明专利]非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路无效
| 申请号： | 200610073509.4 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1848299A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 本多泰彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路，其中，基准电流生成电路具有镜比不同的多个电流镜电路，根据流过上述基准存储单元的电流生成多个基准电流。多个检测放大器，根据由基准电流生成电路生成的基准电流检测流过所选择的存储单元的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 基准 电流 生成 电路 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，包括：至少一个基准存储单元；以及具有多个电流镜电路的基准电流生成电路，上述基准电流生成电路，根据流过上述基准存储单元中的电流，由多个上述电流镜电路生成多个基准电流，供给检测放大器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610073509.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：工具夹
- 下一篇：获得接收的扩频信号的方法
