[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
申请号: | 200610073140.7 | 申请日: | 2006-04-06 |
公开(公告)号: | CN1845341A | 公开(公告)日: | 2006-10-11 |
发明(设计)人: | 蔡基成;朴美暻 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/00;H01L21/336;H01L21/82 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种薄膜晶体管包括:基板上的硅纳米线,硅纳米线具有中间部分和中间部分的两侧部分;位于中间部分上的栅极;以及在两侧部分上的源极和与源极分隔开的漏极,其中源极和漏极分别电连接到硅纳米线。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管,包括:位于基板上的硅纳米线,其中所述硅纳米线具有中间部分和中间部分的各侧部分;位于所述中间部分上的栅极;以及位于各侧部分上的源极和与所述源极分隔开的漏极,其中所述源极和漏极电连接到所述硅纳米线。
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