[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610073140.7 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1845341A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡基成;朴美暻 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/00;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管包括：基板上的硅纳米线，硅纳米线具有中间部分和中间部分的两侧部分；位于中间部分上的栅极；以及在两侧部分上的源极和与源极分隔开的漏极，其中源极和漏极分别电连接到硅纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：位于基板上的硅纳米线，其中所述硅纳米线具有中间部分和中间部分的各侧部分；位于所述中间部分上的栅极；以及位于各侧部分上的源极和与所述源极分隔开的漏极，其中所述源极和漏极电连接到所述硅纳米线。
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