[发明专利]玻璃基体的镀层方法、磁盘基板及制法、垂直磁记录介质无效
| 申请号： | 200610072585.3 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1843997A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 栗原大;郑用一;矶亚纪良 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | C03C17/00 | 分类号： | C03C17/00;C03C17/06;G11B5/858;G11B5/62 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对玻璃基体进行镀层的方法，其可利用无电解镀层法，在由玻璃材料制成的基体上，密合性良好地、均匀地形成甚至膜厚为1μm以上的镀膜。在由玻璃材料制成的基体上，依次至少实施玻璃活化处理(S2)、硅烷偶联剂处理(S3)、Pd催化处理(S4)、Pd结合处理(S5)后，利用无电解镀层(S6)形成膜厚为0.02μm～0.5μm的预镀膜并在200℃以上350℃以下的温度下实施退火处理(S7)，在该预镀膜上实施无电解镀层(S8)。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 基体 镀层 方法 磁盘 制法 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种对玻璃基体进行镀层的方法，其特征在于：在由玻璃材料制成的基体上，依次至少实施玻璃活化处理、硅烷偶联剂处理、Pd催化处理、Pd结合处理后，利用无电解镀层法形成膜厚为0.02μm～0.5μm的预镀膜并在200℃以上350℃以下的温度下实施退火处理，在该预镀膜上实施无电解镀层。
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