[发明专利]成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610072041.7 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1825207A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信一;江间达彦;早崎圭;中田錬平;山田展英;奥村勝弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5 (m· sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 图形 形成 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种成膜方法，在反复进行喷嘴从衬底的一端经由上述衬底上通过上述衬底的另一端的列方向直线性移动和在上述衬底内或衬底外的行方向的移动，相对移动上述喷嘴和上述衬底，同时从设于喷嘴的排出口，对上述衬底连续地排出调整后的溶液使其在衬底上蔓延规定量，在上述衬底上留下排出的溶液形成液膜的成膜方法中，其中，从移动于第1列上的上述喷嘴向上述衬底上排出溶液之际，求相对溶液滴下位置的溶液排出量的要求值的偏移量；从移动于与第1列邻接的第2列上的上述喷嘴给上述衬底上排出溶液之际，控制第2列上任意位置的排出量，使其在第1列上邻接的排出位置校正求出的偏移量。
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