[发明专利]电子发射装置无效
| 申请号： | 200610071529.8 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1841637A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 李承炫;张喆铉 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J29/04;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电子发射装置，其具有优化的内部结构，其中从电子发射区域发射的电子朝向荧光体层笔直地迁移。该电子发射装置包括彼此面对的第一和第二基板、以及形成在第一基板上的阴极电极。电子发射区域形成在阴极电极上。绝缘层和栅极电极形成在阴极电极上且具有暴露电子发射区域的开口。荧光体层形成在第二基板上。阳极电极形成在荧光体层的表面上。阴极和阳极电极之间的距离z满足下面的条件：0.7d((Va－Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va－Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到阴极电极的电压，Vg是施加到栅极电极的电压，Va是施加到阳极电极的电压，d是阴极和栅极电极之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射装置，包括：第一基板；第二基板，其面对所述第一基板；阴极电极，其形成在所述第一基板上；电子发射区域，其形成在所述阴极电极上；绝缘层和栅极电极，其形成在所述阴极电极上且具有暴露所述电子发射区域的开口；荧光体层，其形成在所述第二基板上；以及阳极电极，其形成在所述荧光体层的表面上，其中所述阴极和所述阳极电极之间的距离z满足下面的条件：0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va-Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到所述阴极电极的电压，Vg是施加到所述栅极电极的电压，Va是施加到所述阳极电极的电压，d是所述阴极和所述栅极电极之间的距离，且其中Vc、Vg和Va用单位伏特(V)表示，d和z用单位微米(μm)表示。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610071529.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有临时数据存储器的内容数据再现设备
- 下一篇：移动体的位置检测系统以及方法
