[发明专利]电荷捕获存储器件及其制造方法

摘要

提供一个薄的SiGe层作为附加的底部栅电极层，并且其设置于薄氧化栅和栅电极层之间，优选为多晶硅。选择性地蚀刻SiGe层到栅电极和氧化栅，并且邻近于源/漏区被横向去除SiGe层以形成凹槽，随后以适合电荷捕获的材料填充。器件结构和制造方法适合于包括存储单元的局部互连、CMOS逻辑外围的集成电路和且是补偿在阵列和外围中的层级差的手段。

主权项

1.一种制造半导体存储器件的方法，该半导体存储器件包括：半导体本体；设置在所述半导体本体上并且包括具有存储层的存储单元的存储单元阵列；被提供用于电荷捕获的所述存储层；和字线叠层，其环绕所述存储单元的栅电极；该方法包括步骤：在所述半导体本体的表面上形成氧化栅；在所述氧化栅上沉积SiGe层；在所述SiGe层上沉积栅电极层和字线层；结构化所述字线层、所述栅电极层和所述SiGe层以形成字线叠层；选择性蚀刻所述SiGe层的残留物部分至所述氧化栅和所述栅电极层以形成在所述字线叠层的两侧上的所述SiGe层中的所述栅电极层下面的底部蚀刻的凹槽；在半导体本体、所述SiGe层的剩余部分和所述栅电极层的表面上形成氧化层；沉积用于所述存储层的材料；和去掉除了形成在所述栅电极层的底部边缘下面的条状存储层的残留部分以外的所述材料。