[发明专利]一种利用格氏反应来制备双环己烷类单体液晶的方法无效

专利信息
申请号: 200610070271.X 申请日: 2006-11-20
公开(公告)号: CN1962580A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 易朝辉;葛立权;林华强;姜雪松;张鑫鑫;崔振杰 申请(专利权)人: 烟台万润精细化工有限责任公司
主分类号: C07C13/28 分类号: C07C13/28;C07C5/00;C07C1/20;C09K19/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 264006山东省烟台市经济技*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种制备双环己烷类单体液晶的方法,属于单体液晶的制备方法技术领域。一种利用格氏反应来制备双环己烷类单体液晶的方法,其结构代表式为:(图I),其特征合成路线为(图II)其中R1,R2=C2~C10,R3=C1~C9的直链烷基;X为Cl或Br或I;A=C2H4,或者环己烷;n=0或1。该制备方法具有对生产设备要求低,工艺简单,生产成本低,而且对环境友好的特点,所以特别适于4,4’-烷基取代的双环己烷类单体液晶的工业化生产。
搜索关键词: 一种 利用 反应 制备 环己烷 单体 液晶 方法
【主权项】:
1、一种利用格氏反应来制备双环己烷类单体液晶的方法,该双环己烷类单体液晶的结构代表式为其中R1=C2~C10的直链烷基;R2=C2~C10的直链烷基;A=C2H4或者环己基;n=0或1,其特征在于制备方法为采用作为起始原料与直链卤代烷的格氏试剂反应制备酮,再通过乌尔夫-凯惜纳-黄鸣龙还原反应制得双环己烷类单体液晶,合成路线为其中R1,R2=C2~C10,R3=C1~C9的直链烷基;X为Cl或Br或I;A=C2H4,或者环己烷;n=0或1。
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