[发明专利]一种直流磁控共溅射法制备ZnO∶Al透明导电薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200610069500.6 申请日: 2006-10-27
公开(公告)号: CN1944705A 公开(公告)日: 2007-04-11
发明(设计)人: 闫金良;李清山;孙学卿 申请(专利权)人: 鲁东大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/02
代理公司: 烟台信合专利代理有限公司 代理人: 韩珺
地址: 264025山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种直流磁控共溅射法制备ZnO∶Al透明导电薄膜的方法,用直流磁控共溅射技术在玻璃基片上制备出具有多晶结构的ZnO∶Al透明导电膜,溅射靶为分离的纯金属锌靶和铝靶,调整靶基距为40-80mm,溅射室基础真空为小于1.0×10-3Pa,溅射气体为氩气,反应气体为氧气,溅射室气体压力0.5-3Pa,氩气和氧气流量比值4-10,基片衬底温度100℃-300℃,本发明的方法成本低廉、靶材制造方便且可回收利用,易于大面积成膜,所制成的透明导电薄膜的导电性和光学透过率高,厚度均匀性好,性能优越。
搜索关键词: 一种 直流 磁控共 溅射 法制 zno al 透明 导电 薄膜 方法
【主权项】:
1、一种直流磁控共溅射法制备ZnO:Al透明导电薄膜的方法,其特征在于步骤如下:(1)将高纯度的金属Zn靶安装在直流磁控溅射装置的溅射室的水冷的阴极靶槽中,高纯度的金属Al片附着在Zn靶表面,将清洗过的基片放入基片架,把基片架插入溅射室的基片盘中,调整靶基距为40-80mm;(2)对溅射室进行抽气,使溅射室的基础真空小于1.0×10-3Pa,给基片加热至100℃-300℃,后向溅射室内分别充入溅射气体氩气和反应气体氧气,氩气和氧气的流量比值为4-10,溅射气体Ar气由导管引到金属靶面附近,反应气体O2气由导管引到基片附近,并减少抽气量,使溅射室的气体压力为0.5-3Pa,最后磁控溅射,制得ZnO:Al透明导电薄膜。
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