[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置有效
| 申请号： | 200610068381.2 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1841512A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 向井良一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够进行高密度记录的垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置。该垂直磁记录介质包含基板，在该基板上形成软磁底层、由非晶材料制成的籽晶层、由Ru或者以Ru作为主要成分的Ru合金制成的底层以及包含第一磁性层和第二磁性层的记录层。该第一和第二磁性层分别包含在与该基板表面基本垂直的方向上具有易磁化轴的多个磁性粒子和隔离该第一和第二磁性层的磁性粒子的第一和第二非磁性非溶性相。第一磁性层包含的第一非溶性相的第一原子浓度比第二磁性层中的第二非溶性相的第二原子浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，包括：基板；软磁底层，形成在该基板上；籽晶层，由非晶材料制成，并且形成在该软磁底层上；第一底层，由Ru或者以Ru作为主要成分的Ru合金制成，并且形成在该籽晶层上；以及记录层，包含第一磁性层和层叠在该第一磁性层上的第二磁性层，并且形成在该第一底层上；其中该第一底层包含由多个第一晶粒形成的多晶膜，所述第一晶粒通过晶界部分彼此结合；该第一磁性层包含：在与该基板表面基本垂直的方向上具有易磁化轴的多个第一磁性粒子；以及将所述第一磁性粒子彼此隔离的第一非磁性非溶性相，其中，以第一原子浓度设置该第一非溶性相；该第二磁性层包含：在与该基板表面基本垂直的方向上具有易磁化轴的多个第二磁性粒子；以及将所述第二磁性粒子彼此隔离的第二非磁性非溶性相，其中，以第二原子浓度设置该第二非溶性相；以及该第一磁性层中的第一非溶性相的第一原子浓度设置为比该第二磁性层中的第二非溶性相的第二原子浓度高。
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