[发明专利]具有抗反射涂层的光电二极管无效
| 申请号： | 200610068175.1 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1855556A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | D·郑;P·兰特纳姆 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/102;H01L31/0216;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成有效光电二极管的方法包括如下步骤：提供其上至少一部分具有p表面区域的衬底，将浅n型表面层植入表面区域内，并在n型表面层上形成多层第一抗反射(AR)涂。该表面层最好是As或Sb表面层。形成AR的步骤包括如下步骤：在浅表面层上淀积或形成厚度为1.5nm到8nm的薄氧化物层，并且在薄氧化物层上淀积与该薄氧化物层不同的第二电介质，诸如氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射 涂层 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种形成有效光电二极管的方法，包括如下步骤：提供一衬底，其至少一部分上具有p表面区域；将n型表面层植入所述表面区域，以及在所述n型表面层上形成多层第一抗反射(AR)涂层，其中所述成形步骤包括如下步骤：在所述n型表面衬底上淀积或形成厚度在1.5nm到8nm之间的薄氧化层；在所述薄氧化层上淀积与所述薄氧化层不同的第二电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
