[发明专利]半导体装置的制法、半导体装置的安装方法及安装结构有效
| 申请号： | 200610068103.7 | 申请日： | 2006-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1838383A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 田中秀一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种谋求提高半导体装置的生产率的半导体装置的制造方法。在保护膜(4)上，涂抹作为形成突起体(5)的感光性树脂的丙烯酸树脂来形成树脂层。在该树脂层上将具有开口部的掩模定位配置在规定的位置上，进而，通过在掩模上照射紫外线，使在开口部露出的树脂层的一部分曝光。通过紫外线固化树脂，形成上面为平面的圆柱形状突起体(5b)。接着，将紫外线(11)照射在突起体(5b)上，来加热突起体(5b)，使形成突起体(5b)的丙烯酸树脂熔解。由于在熔解的树脂上产生表面张力，所以平面的突起体(5b)的上面变形为光滑的曲面。因此，由突起体(5b)形成近似半球形状的突起体(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制法 安装 方法 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置(1)具有：电极(3)、从所述电极(3)突出并由树脂形成的凸部(5)、和与所述电极(3)电连接且到达所述凸部(5)的上面的导电层(6)，所述凸部(5)是使所述树脂熔解而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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