[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 200610068084.8 | 申请日: | 2006-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN1838427A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
| 发明(设计)人: | 前田强;松本友孝 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H05B33/22 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种发光装置以及具备该发光装置的电子设备。在有机EL装置(1)中,虽然多个像素(100)分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)对应,但构成有机EL元件(10)的空穴输送层(13)以及发光层(14)等有机功能层的材质不管所对应的颜色如何,都是一样的。在各像素(100)中构成光谐振器(40),根据阳极层(12)的厚度,将光谐振器(40)的光学长度设定成与红色光、绿色光、蓝色光的任一种对应的长度。在光谐振器(40)的下层侧的反射层(19)与阳极层(12)之间,形成由硅氮化膜等构成的绝缘保护层(18)。这样,即使在形成因像素不同而厚度不同的阳极时,位于阳极下层侧的光谐振器用的下层侧反射层也不会产生劣化。 | ||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,其在与基板上的红色、绿色、蓝色对应的多个像素的每一个中具备发光元件,所述发光元件通过层叠光透过性的阳极层、至少包括发光层的功能层以及阴极层而构成,其中,在所述发光元件中形成光谐振器,所述光谐振器在所述阳极层的下层侧具有下层侧反射层,所述多个像素中包括所述阳极层的厚度不同的像素,在所述阳极层和所述下层侧反射层的层间,形成有用于覆盖该下层侧反射层的光透过性的绝缘保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610068084.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电致发光显示装置
- 下一篇:用于在多层信息载体上记录信息的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





