[发明专利]半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明的目的是在保持传导载流子的沟道的有机半导体和栅极绝缘体层的界面的平坦性并且不降低成品率的情况下，形成具有结晶性高的有机半导体的有机晶体管。本发明的特征是将有机半导体层形成为叠层结构，至少上层的有机半导体层具有多晶状态或单晶状态，下层的有机半导体层由起到沟道作用的材料来构成。通过提供结晶性高的上层的有机半导体层，可以提高载流子迁移率，并且通过提供下层的有机半导体层，可以补充起因于该上层的有机半导体层的不充分的接触。

主权项

1.一种半导体装置，包括：栅极；中间夹栅极绝缘体层与所述栅极相邻的第一有机半导体层；以及与所述第一有机半导体层相邻的第二有机半导体层，其中，所述第二有机半导体层的结晶性比所述第一有机半导体层的结晶性更高。