[发明专利]高耐压半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610067980.2 | 申请日： | 2006-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1841775A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 佐藤嘉展;小仓弘义;一条尚生;生田晃久;寺下彻 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高耐压半导体装置，其形成在具有支承基板(101)、绝缘膜(102)和活性层(103)的SOI基板上，并具备：在活性层上形成的N型阱区(105)及P型漏极偏置区域(104)、在阱区上形成的P型源极区(106)、在漏极偏置区域上形成的P型漏极区域(108)、至少在被活性层中的源极区域及漏极偏置区域夹着的区域上形成的栅极绝缘膜(110)、在栅极绝缘膜上形成的栅电极(111)，同时还具备漏极偏置区域之下形成的N型深阱区域(112)。深阱区域(112)形成用杂质的浓度峰值，存在于比漏极偏置区域(104)形成用杂质的浓度峰值更深的位置。实现了既抑制导通电阻的增加，又实现高耐压化。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高耐压半导体装置，使用具备支承基板、在所述支承基板上形成的绝缘膜、以及在所述绝缘膜上形成的活性层的SOI基板而形成，具备：第1导电型的阱区，其形成在所述活性层上；第2导电型的漏极偏置区域，其形成在所述活性层上且与所述阱区分离；所述第2导电型的源极区域，其形成在所述阱区上；所述第2导电型的漏极区域，其形成在所述漏极偏置区域上；栅极绝缘膜，其至少形成在被所述活性层中的所述源极区域及所述漏极偏置区域夹着的区域上；以及栅电极，其形成在所述栅极绝缘膜上，还具备：所述第1导电型的深阱区域，其形成在所述活性层中的所述漏极偏置区域之下，为了形成所述深阱区域而导入的所述第1导电型的杂质的浓度峰值的位置，比为了形成所述漏极偏置区域而导入的所述第2导电型的杂质的浓度峰值的位置更深。
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