[发明专利]基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法无效
| 申请号: | 200610066888.4 | 申请日: | 2006-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN101047149A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
| 发明(设计)人: | 石莎莉;陈大鹏;景玉鹏;殴毅;董立军;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/14;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列,其与反光板连接的悬臂梁固支在利用各向同性腐蚀出的近似楔型硅柱上,其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式。该非制冷红外焦平面阵列器件的工艺步骤如下:1.在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜;2.在正面氮化硅薄膜表面光刻,表面淀积铬薄膜,剥离;3.刻蚀氮化硅薄膜,去铬,清洗处理表面;4.在图形表面光刻,表面淀积金薄膜,剥离,在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金;5.继续在图形表面光刻,表面淀积金薄膜,剥离,在反光板上形成薄的镀金;6.正面腐蚀硅衬底,形成近似楔型硅柱来支撑悬臂梁,同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 衬底 牺牲 制冷 红外 平面 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种采用基于硅衬底无牺牲层工艺制作的非制冷红外焦平面阵列,其特征在于,其固支在近似契型硅拄上的悬臂梁和反光板薄膜的形成和释放是:先在<100>硅基片上用低压化学气相沉积方法淀积氮化硅薄膜,刻蚀形成悬臂梁和反光板图形;再经过两次淀积金薄膜、剥离形成悬臂梁上的厚间隔镀金和反光板上的薄镀金;最后正面各向同性腐蚀硅衬底,形成近似契型硅拄来支撑悬臂梁,并释放整个悬臂梁和反光板薄膜,形成非制冷红外焦平面阵列;其步骤如下:步骤1、在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜;步骤2、在正面氮化硅薄膜表面光刻,打底胶,表面淀积铬薄膜,剥离;步骤3、刻蚀氮化硅薄膜,形成悬臂梁和反光板图形;去铬,清洗处理表面;步骤4、在图形表面光刻,打底胶,表面淀积金薄膜,剥离,在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金;步骤5、继续在图形表面光刻,打底胶,表面淀积金薄膜,剥离,在反光板上形成薄的镀金;步骤6、正面腐蚀硅衬底,形成近似契型硅拄来支撑悬臂梁,同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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