[发明专利]具有双电压源的熔丝记忆位与其电源供应方法无效
| 申请号： | 200610066838.6 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101047166A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 黄一洲;吴晓龙 | 申请（专利权）人： | 富晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有双电压源的熔丝记忆位与其电源供应方法，其中熔丝连接修整电压源，第一检查电路与第二检查电路被系统电压源所驱动，检查电路根据熔丝的第一端与第二端的电位差，来判断熔丝是否被烧断。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 记忆 与其 电源 供应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有双电压源的熔丝记忆位，包括：系统电压源；修整电压源；熔丝，与所述修整电压源连接，所述修整电压源提供电流以烧断所述熔丝；以及控制电路，由所述系统电压源驱动，以控制所述熔丝的读取与烧断；其中，通过所述控制电路检查所述熔丝的第一端与第二端的电位差，以判断所述熔丝是否被烧断。
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