[发明专利]分离栅极快闪元件与其制造方法

摘要

本发明提供一种分离栅极快闪元件与其制造方法。所述形成分离栅极快闪元件的方法，于半导体基板上依序形成介电层、导电层、遮罩层以及光致抗蚀剂层。之后将光致抗蚀剂层蚀刻出开口图案，并以此图案蚀刻遮罩层与导电层。蚀刻导电层后将使导电层与介电层交界的外表面区域具有底切，而蚀刻介电层将使导电层与介电层交界的外表面区域具有凹陷，最后蚀刻部分基板以形成沟槽。将隔离层填充于沟槽与遮罩层上，再移除遮罩层、部分导电层与部分隔离层，并保留部分隔离层于凹陷上。本发明所述分离栅极快闪元件与其制造方法，可保护主动区域的角落，避免了于分离栅极快闪元件的主动区域形成不想要的沟槽。

主权项

1.一种分离栅极快闪元件的制造方法，所述分离栅极快闪元件的制造方法包括：形成一介电层于一半导体基板上；形成一导电层于该介电层上；沉积一遮罩层于该导电层上；形成一光致抗蚀剂层于该遮罩层上；图案化该光致抗蚀剂层，以形成开口图案于其中；沿该光致抗蚀剂层的开口图案蚀刻该遮罩层与该导电层；蚀刻该导电层，形成一底切于该导电层与该介电层交界的外表面区域；蚀刻该介电层，形成一凹陷于该导电层与该介电层交界的外表面区域，并蚀刻部分该基板以形成沟槽；填充一隔离层于该沟槽与该遮罩层上；以及蚀刻移除该遮罩层、部分该导电层与部分该隔离层，并保留部分该隔离层于该凹陷上。