[发明专利]钻石基板及其制作方法无效
| 申请号： | 200610066354.1 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101047215A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张孝国;黄仁烜;陈志鹏;陈娜玲;温世邦 | 申请（专利权）人： | 中国砂轮企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钻石基板及其制作方法，该钻石基板包括：一碳化硅层；一钻石膜层，形成于该碳化硅层上，以该碳化硅层防止该钻石膜层产生翘曲变形；及一半导体层，形成于该碳化硅层下，并通过该碳化硅层缓和该钻石膜层与该半导体层的晶格不匹配性。在成长钻石膜层的工艺中，先形成碳化硅层于钻石膜层下方，以减低钻石膜层的翘曲变形量，再在钻石膜层上制作半导体层，或在碳化硅层下直接成长出半导体层，以利用碳化硅层来缓和钻石膜层与半导体层的晶格不匹配性，而提高半导体层的结晶质量，并借以简化工艺与提升产品的效能与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 钻石 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种钻石基板，其特征在于，包括有：一碳化硅层；一钻石膜层，形成于该碳化硅层上，以该碳化硅层防止该钻石膜层产生翘曲变形；及一半导体层，形成于该碳化硅层下，并通过该碳化硅层缓和该钻石膜层与该半导体层的晶格不匹配性。
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