[发明专利]具抗突波与静电保护的覆晶式发光二极体及制造方法无效
| 申请号： | 200610065300.3 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101043060A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 黄国钦;蓝文厚;潘锡明;杨志伟;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京兰台恒信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐雪琦 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具抗突波与静电保护的覆晶式发光二极体封装结构及制造方法，其是一覆晶式发光二极体的封装结构包含有一载体、一发光二极体晶片、一抗突波保护层、一第一导电元件与一第二导电元件。于制造方法的步骤上，先形成一层抗突波保护层于载体上，接着形成第一导电元件与第二导电元件，再使发光二极体晶片接合第一导电元件与第二导电元件，最后形成覆晶式发光二极体封装结构。当抗突波保护层是依据偏压电压超过门槛电压时，将使突波电流经抗突波保护层即形成一电流路径，以促使突波电流通过抗突波保护层，用于更有效避免突波或静电破坏发光二极体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 具抗突波 静电 保护 覆晶式 发光 二极体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具抗突波与静电保护的覆晶式发光二极体封装结构，其包含有：一载体；一抗突波保护层，设置于部分该载体之上；一第一导电元件，设置于部分该载体之上，并覆盖部分该抗突波保护层；一第二导电元件，设置于该抗突波保护层之上，且未连接该第一导电元件；一发光二极体晶片，设置于该抗突波保护层之上，且连接该第一导电元件与该第二导电元件；其中，若该发光二极体晶片的偏压电压超过门槛电压，该第一导电元件、该第二导电元件与该抗突波保护层是形成电流回路，以消除突波与静电。
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