[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及照相机模块有效
| 申请号： | 200610064758.7 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1979882A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 川畑升 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/50;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体成像装置，其包括：安装固态图像传感器的半导体封装载体；电连接形成在固态图像传感器上的第一终端和形成在半导体封装载体上的第二终端的接合线；至少密封与接合线连接的第二终端的密封构件；以及由透光材料制成的且设置在固态图像传感器上面的透光构件，其中通过形成在半导体封装载体上非单一直线上的三个或更多位置处的不同支撑构件支撑透光构件。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 照相机 模块 | ||
【主权项】：
1、一种固态成像装置，包括：安装固态图像传感器的半导体封装载体；电连接形成在该固态图像传感器上的第一终端和形成在该半导体封装载体上的第二终端的接合线；至少密封与该接合线连接的该第二终端的密封构件；以及由透光材料制成的且设置在该固态图像传感器上面的透光构件，其中通过形成在该半导体封装载体上非单一直线上的三个或更多位置处的不同支撑构件支撑该透光构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
