[发明专利]半导体装置的制造方法有效

申请号：	200610063946.8	申请日：	2006-09-29
公开（公告）号：	CN1983510A	公开（公告）日：	2007-06-20
发明（设计）人：	石桥健夫	申请（专利权）人：	株式会社瑞萨科技
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/66;G03F7/00;G03F7/20
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	浦柏明;刘宗杰
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	在衬底(1)的主表面上形成绝缘膜(7)。在绝缘膜(7)上形成导电膜(8)，在该导电膜(8)上形成下层抗蚀剂膜(9)、中间层(10)、防反射膜(11)和上层抗蚀剂膜。通过检测该上层抗蚀剂膜的高度来检测曝光时的焦点位置。在检测曝光时的焦点位置之际，使焦点检测光照射到上层抗蚀剂膜。在检测了焦点位置以后，使上层抗蚀剂膜曝光、显影，形成抗蚀剂图形(12a)。以抗蚀剂图形(12a)为掩模，将中间层(10)和防反射膜(11)制成图形，使下层抗蚀剂膜(9)显影。以这些图形为掩模对导电膜(8)进行蚀刻，形成栅电极。
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，其具备：在衬底主表面上形成包括被加工膜的第一膜的工序；在上述第一膜上形成包括感光性材料的第二膜的工序；对上述第二膜照射焦点检测光，利用从上述焦点检测光中取出的特定偏振光来检测曝光时的焦点位置的工序；使上述第二膜曝光的工序；将上述第二膜制成图形的工序；以及将已制成图形的上述第二膜作为掩模，将上述第一膜制成图形的工序。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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