[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200610063646.X | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101009221A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 松村民雄;辻野忠 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供可降低由热处理半导体晶片导致的半导体晶片的翘曲量的半导体装置的制造方法。具有背面电极的半导体装置的制造方法，包含：准备具有表面和背面的半导体晶片的工序；在该半导体晶片的背面形成第1金属层，通过热处理在该半导体晶片和该第1金属层之间形成欧姆连接的热处理工序；在该热处理工序后，在该半导体基板的背面上形成Ni组成的第2金属层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，是具有背面电极的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：准备具备表面和背面的半导体晶片的工序；在该半导体晶片的背面形成第1金属层，通过热处理在该半导体晶片和该第1金属层之间形成欧姆连接的热处理工序；在该热处理工序后，在该半导体基板的背面上形成Ni组成的第2金属层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
