[发明专利]二极型场发射像素管有效
| 申请号： | 200610061416.X | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101097829A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨远超;魏洋;刘亮;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J63/00;H01J29/86;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/63;H01J1/304;H01J7/18;C01B31/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二极型场发射像素管。该场发射像素管包括：一个中空壳体，该壳体具有一个出光部，该出光部的内壁依次涂敷有荧光物质和阳极层。所述壳体内部是真空密封的，并且该壳体内部与该出光部相对处有一个阴极发射体，该阴极发射体的尖端为碳纳米线。该二极型场发射像素管利用碳纳米线的优异场发射性能和方便操作的机械特性，改善了场发射像素管的发光性能并简化了制造难度。 | ||
| 搜索关键词： | 二极 发射 像素 | ||
【主权项】：
1.一种二极型场发射像素管，其包括：一个中空壳体，该壳体具有一个出光部，该出光部的内壁依次涂敷有荧光物质和阳极层，其特征在于：所述壳体内部是真空密封的，并且该壳体内部与该出光部相对处有一个阴极发射体，该阴极发射体的尖端为碳纳米线。
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