[发明专利]场发射电子源及其制造方法有效
| 申请号： | 200610060128.2 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101047085A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 潜力;刘亮;柳鹏;唐洁;魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J3/02;H01J29/04;H01J37/06;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射电子源，其包括至少一个电子发射体，该电子发射体包括导电基底和形成在导电基底上的电子发射层，该电子发射层至少覆盖于导电基底的顶部，其包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及一种制造上述场发射电子源的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射电子源，包括至少一个电子发射体，所述的电子发射体包括具有顶部的导电基底和形成在导电基底上的电子发射层，所述的电子发射层至少覆盖于导电基底的顶部，其特征在于：所述的电子发射层包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。
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