[发明专利]在磁头表面形成浅槽的方法无效
| 申请号： | 200610059918.9 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101030040A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 黄仕军;李家豪 | 申请（专利权）人： | 新科实业有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G11B5/127 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 香港新界沙田香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种在磁头表面形成浅槽的方法，包括如下步骤：将感光物质涂设到磁头上；以255－265mj/cm2的曝光强度对感光物质进行选择性曝光，使感光物质上形成曝光区域；将感光物质烘烤350－370秒；对曝光区域进行显影，使感光区域的感光物质被除去，并将磁头表面暴露于感光区域，显影时间为45－55秒；蚀刻暴露于曝光区域的磁头表面，使磁头表面上形成浅槽；最后除去磁头表面的剩余感光物质。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 表面 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在磁头表面形成浅槽的方法，包括如下步骤：(1)将感光物质涂设到磁头上；(2)以255-265mj/cm2的曝光强度对感光物质进行选择性曝光，使感光物质上形成曝光区域；(3)将感光物质烘烤350-370秒；(4)对曝光区域进行显影，使感光区域的感光物质被除去，并将磁头表面暴露于感光区域，显影时间为45-55秒；(5)蚀刻暴露于曝光区域的磁头表面，使磁头表面形成浅槽；及(6)除去磁头表面的剩余感光物质。
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